Прорыв в микроэлектронике: Новосибирцы создали уникальный ионный источник для производства чипов

Новосибирский Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера представил революционную разработку в области микроэлектронного производства. Впервые в России создан прототип каспового ионного источника, способного формировать ленточные пучки ионов произвольной ширины для имплантации примесей в полупроводниковые пластины.

Значимость разработки обусловлена критической важностью ионной имплантации в современном производстве микроэлектроники. Данная технология, являющаяся основой развития отрасли последние три десятилетия, позволяет создавать полупроводниковые структуры с заданными характеристиками путем внедрения в кремниевые пластины специальных примесей, таких как бор, фтор и мышьяк.

Первые испытания устройства продемонстрировали его высокую эффективность. По словам одного из разработчиков, Сергея Константинова, достигнута равномерная эмиссия вдоль всей щели источника, что открывает перспективы создания имплантеров с различной шириной ионного пучка.

Для развития этого направления в институте создана специализированная молодежная лаборатория имплантерных ионных источников, объединившая специалистов в области физики плазмы, ускорительной физики и силовой электроники. Проект уже привлек внимание ведущих российских производителей микроэлектроники – АО "НИИТМ" и АО "НИИМЭ" из Зеленограда.

Разработка включала создание специального измерительного устройства – профилометра, позволившего провести детальное исследование характеристик ионного пучка в различных режимах работы источника. Успешные результаты испытаний с использованием ионов аргона подтвердили перспективность выбранного технического решения.

Создание отечественного ионного источника для имплантеров является важным шагом в развитии независимого производства микроэлектроники в России и может существенно укрепить технологический суверенитет страны в этой стратегически важной области.