Новосибирский Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера представил революционную разработку в области микроэлектронного производства. Впервые в России создан прототип каспового ионного источника, способного формировать ленточные пучки ионов произвольной ширины для имплантации примесей в полупроводниковые пластины.

Значимость разработки обусловлена критической важностью ионной имплантации в современном производстве микроэлектроники. Данная технология, являющаяся основой развития отрасли последние три десятилетия, позволяет создавать полупроводниковые структуры с заданными характеристиками путем внедрения в кремниевые пластины специальных примесей, таких как бор, фтор и мышьяк.

Первые испытания устройства продемонстрировали его высокую эффективность. По словам одного из разработчиков, Сергея Константинова, достигнута равномерная эмиссия вдоль всей щели источника, что открывает перспективы создания имплантеров с различной шириной ионного пучка.

Для развития этого направления в институте создана специализированная молодежная лаборатория имплантерных ионных источников, объединившая специалистов в области физики плазмы, ускорительной физики и силовой электроники. Проект уже привлек внимание ведущих российских производителей микроэлектроники – АО "НИИТМ" и АО "НИИМЭ" из Зеленограда.

Разработка включала создание специального измерительного устройства – профилометра, позволившего провести детальное исследование характеристик ионного пучка в различных режимах работы источника. Успешные результаты испытаний с использованием ионов аргона подтвердили перспективность выбранного технического решения.

Создание отечественного ионного источника для имплантеров является важным шагом в развитии независимого производства микроэлектроники в России и может существенно укрепить технологический суверенитет страны в этой стратегически важной области.

Южнокорейский технологический гигант SK Hynix получил значительную государственную поддержку для реализации масштабного проекта в США. Американское правительство одобрило финансовый пакет общим объемом 958 миллионов долларов, включающий прямое финансирование в размере 458 миллионов и льготный кредит на 500 миллионов долларов в рамках программы CHIPS Act.

Инвестиционный проект общей стоимостью 3,87 миллиарда долларов предусматривает создание современного производственного комплекса в Уэст-Лафайетте (штат Индиана). На новом предприятии планируется наладить выпуск высокопроизводительной памяти HBM, критически важной для систем искусственного интеллекта. Помимо производственных мощностей, проект включает строительство научно-исследовательского центра.

Стратегическая значимость проекта подчеркивается его ролью в укреплении американской полупроводниковой индустрии. С учетом уже действующего производства TSMC в Аризоне, запуск завода SK Hynix позволит США локализовать производство ключевых компонентов для передовых микросхем на своей территории.

Проект также имеет важное социально-экономическое значение для региона. Ожидается создание около тысячи высококвалифицированных рабочих мест. Более того, сотрудничество с Университетом Пердью должно стимулировать развитие научно-исследовательского потенциала в области полупроводниковых технологий.

По словам главы Министерства торговли США Джины Раймондо, данная инициатива является ярким примером успешной реализации программы CHIPS and Science Act, направленной на укрепление технологического лидерства США на глобальном рынке.

Запуск производства SK Hynix станет важным шагом в развитии американской полупроводниковой отрасли и усилении технологической независимости страны.

Японская компания OKI Circuit Technology, имеющая полувековой опыт в производстве печатных плат, представила революционное решение в области теплоотвода электронных компонентов. Инновационная разработка демонстрирует беспрецедентное повышение эффективности охлаждения – до 55 раз по сравнению с традиционными решениями.

Ключевой особенностью новой технологии стало использование особых ступенчатых структур из меди, интегрированных в печатную плату. Инженеры компании разработали два варианта исполнения – круглые и прямоугольные пластины, выбор которых зависит от конфигурации охлаждаемых компонентов. Например, для типового решения используется круглая пластина с диаметром 7 мм в зоне контакта с компонентом, расширяющаяся до 10 мм в области теплоотвода.

Особую ценность разработка представляет для сфер, где традиционные методы охлаждения неприменимы или малоэффективны. В первую очередь это касается миниатюрных электронных устройств и космической техники, где использование активного охлаждения затруднено или невозможно.

Технология является развитием предыдущих разработок компании в области термального менеджмента, включавших использование встроенных медных пластин, толстопленочных медных проводников и проводников с металлическим сердечником. Новое решение отличается оптимизированной геометрией теплоотводящих элементов и возможностью их интеграции с внешними системами охлаждения.

Эксперты отмечают потенциал применения данной технологии в производстве компьютерных комплектующих. Ведущие производители материнских плат, такие как Asus, ASRock, Gigabyte и MSI, уже проявляют интерес к возможности интеграции новой системы теплоотвода в свои продукты.

Разработка OKI Circuit Technology может стать важным шагом в решении проблемы охлаждения высокопроизводительной электроники, особенно в условиях постоянного роста вычислительной мощности и миниатюризации устройств.

Оборонное ведомство Великобритании сообщило о завершении тестирования принципиально нового типа вооружения, способного эффективно противодействовать групповым атакам беспилотных летательных аппаратов.

Разработанная система, получившая название RFDEW (Radio Frequency Directed Energy Weapon), представляет собой мобильный комплекс направленного радиочастотного воздействия. Ключевой особенностью новинки стала её исключительная экономическая эффективность – нейтрализация одного дрона обходится всего в 13 центов, при этом дальность действия достигает километра.

Принцип работы комплекса основан на генерации направленного потока высокочастотных электромагнитных волн, которые выводят из строя электронные системы беспилотников. В результате воздействия дроны либо теряют управление и падают, либо полностью прекращают функционирование. Примечательно, что система показала эффективность не только против воздушных целей, но также может применяться для борьбы с наземными и морскими роботизированными платформами.

Особого внимания заслуживает простота эксплуатации комплекса – для его работы требуется всего один оператор, а высокий уровень автоматизации минимизирует человеческий фактор. Конструкция RFDEW предусматривает возможность быстрой установки на различные типы военной техники, что существенно расширяет сценарии его тактического применения.

Данная разработка может стать переломной в сфере противодействия беспилотным системам, особенно учитывая растущую роль дронов в современных конфликтах и их массовое применение.